贵所于 2025年 12月 11日出具的《关于拓荆科技股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函》（以下简称“审核问询函•”）已收悉△▷△。拓荆科技股份有限公司（以下简称▽□▷“拓荆科技”○●、“发行人…”或“公司”）与中信建投证券股份有限公司（以下简称“保荐机构”或“保荐人”）◆▪、天健会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“申报会计师△=…”）等相关方已就审核问询函中提到的问题进行了逐项落实并回复。

　　本审核问询函回复中所使用的术语、名称、缩略语，除特别说明外◇□▷，与其在《拓荆科技股份有限公司 2025年度向特定对象发行 A股股票募集说明书》中的含义相同◆•△。

　　本回复中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况■▷▽，均为四舍五入所致▪。

　　根据申报材料，1）本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过人民币 460,000.00万元（含本数）■，拟用于高端半导体设备产业化基地建设项目•▽、前沿技术研发中心建设项目□▽、补充流动资金◆；2）本次■●“高端半导体设备产业化基地建设项目”为前次“高端半导体设备产业化基地建设项目△”的追加投资…，前次项目募集资金尚未使用完毕；3）前次募投项目存在部分变更。

　　请发行人说明▪：（1）本次募投项目与现有业务的区别与联系，是否符合投向主业的要求，本次募投项目实施后是否新增关联交易；（2）本次募集资金投向前次超募资金建设项目的合理性，结合整体投资计划、建设内容、资金用途是否能明确区分，说明在前次募集资金尚未基本使用完毕情况下实施本次募投项目的必要性▲；（3）结合主要研发内容、技术与人员储备、研发进展★□•、研发难点攻克情况、原材料及设备采购的可行性等，说明实施前沿技术研发中心建设项目是否存在重大不确定性；（4）结合本募产品的市场需求、竞争格局及公司竞争优劣势、现有及新增产能、产能利用率及产销率、在手订单及客户开发情况等★，说明本次募投项目追加投资新增产能的合理性以及产能消化措施；（5）前募资金变更前后非资本性支出占比情况。

　　请保荐机构核查并发表明确核查意见，请申报会计师核查问题（5）并发表明确核查意见▷▲。

　　（一）本次募投项目与现有业务的区别与联系◇○，是否符合投向主业的要求，本次募投项目实施后是否新增关联交易

　　公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产▽□■、销售与技术服务●▷。自成立以来▽-，公司始终坚持自主研发●▼★、自主创新，目前已形成 PECVD=☆▽、ALD、SACVD☆▷▪、HDPCVD■☆■、Flowable CVD等薄膜沉积设备产品，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品，薄膜沉积设备产品已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线，先进键合设备和配套的量检测设备产品已在先进存储、图像传感器（CIS）等领域实现量产。

　　根据设备产品类型◁◇、产品应用领域■=○、面向客户群体、产能区分本项目建成后主要生产设备与现有业务的区分与联系如下：

　　根据下游需求，可能存在 部分现有 3D NAND◆、现有 DRAM架构所需设备

　　综上，本项目以现有设备技术与产能为基础，在扩充现有制程、3D NAND 及 DRAM 芯片所需设备产能的同时，布局建设先进制程、先进 3D NAND、先进DRAM架构及三维集成领域所需设备产能，实现成熟产品产能扩张与迭代升级产品技术落地的双重目标。相关产品为围绕下游制程和架构迭代进程对公司现有薄膜沉积设备进行相应的迭代和型号升级，不涉及投向与公司现有产品非同一领域的全新产品•▷…，符合投向主业的要求▲★△。

　　根据产品应用领域区分前沿技术研发中心建设项目的主要研发产品与现有业务的区别与联系如下：

　　主要为现有 3D NAND、现 有 DRAM架构所需的薄 膜工艺和设备

　　主要面向先进 3D NAND•、先进 DRAM架构所需的薄膜工艺设备及 相关延伸拓展技术产品的研发

　　综上，该项目主要为在现有制程▼●、现有 3D NAND◇★•、现有 DRAM架构设备研发成果及技术积累的基础上，拓展先进制程、先进 3D NAND■、先进 DRAM架构和三维集成领域所需的先进工艺及设备产品的研发，相关研发为围绕下游制程和架构迭代进程对公司现有薄膜沉积设备及相关工艺进行相应的研发迭代☆-、技术升级和工艺延展◆，不涉及投向与公司现有产品或技术非同一领域的全新方向▽△，符合投向主业的要求。

　　本次募集资金投资项目紧密围绕公司主营业务展开，是公司现有业务的升级和拓展，高端半导体设备产业化基地建设项目建成后，将大幅提升公司高端半导体设备产能■-，并新增先进逻辑、先进 3D NAND▷、先进 DRAM架构的产业化能力，面向先进制程迭代与三维集成架构对高端半导体设备提出的技术需求•■•，重点围绕PECVD、ALD、沟槽填充 CVD等公司优势领域深耕▼•，开展多项先进薄膜沉积工艺和设备的研发□，并实现相关技术的拓展和延伸，逐步突破其中的前沿核心技术，形成一系列具有自主知识产权-▪、满足前沿技术应用需求的产品。本次募投项目符合公司业务布局及未来发展战略，持续拓展并提升在薄膜沉积设备领域的工艺覆盖面，增强公司核心竞争力和抗风险能力，支撑公司高质量可持续发展•，符合投向公司主业的要求。

　　（1）本次募投项目与公司和关联方之间的交易并不存在直接对应或既定必然的关系，不会影响上市公司生产经营的独立性

　　“高端半导体设备产业化基地建设项目”预计在建设阶段不会直接新增关联交易…-。项目投产后，公司高端半导体专用设备产能和业务规模将显著提升★▽☆，有利于更好地满足包括关联方客户在内的市场需求▪◁。基于对行业供需态势的判断，未来非关联方及关联方客户均可能增加对公司产品的采购规模，关联销售总额可能随之相应上升。此外◆，▼◁◁“前沿技术研发中心建设项目=■□”在建设过程中涉及软硬件设备及耗材采购，公司亦可能根据行业供需情况向关联方进行采购，从而形成关联交易○▼。

　　据此，本次募投项目的实施可能导致公司关联交易金额增加，但该等交易均源自于公司及下属子公司正常经营活动，符合行业惯例，不会对公司的生产经营独立性产生重大不利影响•…□。

　　此外□，截至本回复出具之日，公司无控股股东和实际控制人，本次募投项目实施后•▽，公司仍将保持无控股股东及实际控制人状态。因此▷△=，不会出现与控股股东●…、实际控制人及其控制的企业之间新增构成重大不利影响的同业竞争、显失公平的关联交易的情况◁◆，亦不会对公司生产经营的独立性产生严重影响。

　　本次募投项目建设阶段及实施后如新增关联交易=▪，公司会依据届时市场环境▼•，在定价公允、交易公平合理的基础上进行▷，并严格按照有关规定履行审议和决策程序▪★-，不会对公司生产经营的独立性造成重大不利影响。

　　发行人首次公开发行股票并在科创板上市前的主要股东出具了《关于规范和减少关联交易的承诺函》，目前尚处于有效期内的承诺函的主要内容如下○□：

　　（1）本公司将善意履行作为拓荆科技股东的义务，充分尊重拓荆科技的独立法人地位，保障拓荆科技独立经营、自主决策-。本公司将严格 按照《公司法》以及拓荆科技公司章程的规定，促使经本公司提名的拓荆科技董事（如有）依法履行其应尽的诚信和勤勉责任。 （2）如果拓荆科技及其下属公司在今后的经营活动中必须与本公司或 本公司控制的企业或者经济组织发生不可避免的关联交易，本公司将 促使此等交易严格按照国家有关法律法规、拓荆科技公司章程和其他 有关规定履行相应程序，并按照正常的商业条件进行；保证本公司及 本公司控制的企业或者经济组织将不会要求或接受拓荆科技及其下属 公司给予比在任何一项市场公平交易中第三者更优惠的条件★○…；保证不 利用股东地位▷，就拓荆科技及其下属公司与本公司或本公司控制的企 业或者经济组织相关的任何关联交易采取任何行动□，故意促使拓荆科 技的股东大会或董事会作出侵犯拓荆科技或其他股东合法权益的决 议•▼。 （3）保证本公司及本公司控制的企业或者经济组织将严格和善意地履 行其与拓荆科技及其下属公司签订的各种关联交易协议◇。本公司及本

　　公司控制的企业或者经济组织将不会向拓荆科技及其下属公司谋求任 何超出该等协议规定以外的利益或收益◁▽=。 （4）如违反上述承诺◁◆◇，本公司将根据中国证监会和证券交易所的规定 承担相关责任。 （5）本函件所述承诺事项已经本公司确认，为本公司真实意思表示■■◆， 对本公司具有法律约束力。本公司自愿接受监管机关、社会公众及投 资者的监督，并依法承担相应责任△•。 （6）本函件自签署之日起生效，在本公司依据所应遵守的相关规则作 为拓荆科技关联方期间持续有效。

　　国投（上海）科技 成果转化创业投资 基金企业（有限合 伙-□、中微半导体设 备（上海）股份有 限公司及 11个公司 员工持股平台[注]

　　（1）本企业/本公司/本人将善意履行作为拓荆科技股东的义务，充分 尊重拓荆科技的独立法人地位★★☆，保障拓荆科技独立经营、自主决策。 本企业/本公司/本人将严格按照《公司法》以及拓荆科技公司章程的规 定，促使经本企业/本公司/本人提名的拓荆科技董事（如有）依法履行 其应尽的诚信和勤勉责任=●。 （2）截至本函件出具日，除已经招股说明书、审计报告和律师工作报 告等文件披露的情形外，本企业/本公司/本人及本企业/本公司/本人直 接或间接控制的企业或者经济组织（以下统称“本企业/本公司/本人控 制的企业或者经济组织◁■▪”）与拓荆科技及其下属公司不存在其他关联交 易▷。 （3）保证本企业/本公司/本人以及本企业/本公司/本人控制的企业或者 经济组织，今后原则上不与拓荆科技及其下属公司发生关联交易。如 果拓荆科技及其下属公司在今后的经营活动中必须与本企业/本公司/ 本人或本企业/本公司/本人控制的企业或者经济组织发生不可避免的 关联交易，本企业/本公司/本人将促使此等交易严格按照国家有关法律 法规•、拓荆科技公司章程和其他有关规定履行相应程序，并按照正常 的商业条件进行；保证本企业/本公司/本人及本企业/本公司/本人控制 的企业或者经济组织将不会要求或接受拓荆科技及其下属公司给予比 在任何一项市场公平交易中第三者更优惠的条件▪；保证不利用股东地 位◇•，就拓荆科技及其下属公司与本企业/本公司/本人或本企业/本公司/ 本人控制的企业或者经济组织相关的任何关联交易采取任何行动，故 意促使拓荆科技的股东大会或董事会作出侵犯拓荆科技或其他股东合 法权益的决议■▽。 （4）保证本企业/本公司/本人及本企业/本公司/本人控制的企业或者经 济组织将严格和善意地履行其与拓荆科技及其下属公司签订的各种关 联交易协议。本企业/本公司/本人及本企业/本公司/本人控制的企业或 者经济组织将不会向拓荆科技及其下属公司谋求任何超出该等协议规 定以外的利益或收益。 （5）如违反上述承诺给拓荆科技及其下属公司造成损失，本企业/本公 司/本人将及时、足额地向拓荆科技及其下属公司作出赔偿或补偿◇。本 企业/本公司/本人未能履行上述赔偿或补偿承诺的，则拓荆科技有权相 应扣减应付本企业的现金分红（包括相应扣减本企业/本公司/本人未来 可能因间接持有拓荆科技的股份而可间接分得的现金分红）◁○•。在相应的 承诺履行前□，本企业/本公司/本人亦不转让本企业/本公司/本人所直接 或未来可能间接所持的拓荆科技的股份○□•，但为履行上述承诺而进行转 让的除外。 （6）本函件所述承诺事项已经本企业确认，为本企业/本公司/本人真 实意思表示，对本企业/本公司/本人具有法律约束力。本企业/本公司/ 本人自愿接受监管机关=★•、社会公众及投资者的监督-▪，并依法承担相应 责任▲◇▷。 （7）本函件自签署之日起生效，在本企业/本公司/本人依据所应遵守 的相关规则作为拓荆科技关联方期间持续有效▪□。

　　注○-：11个员工持股平台包括共青城芯鑫和投资合伙企业（有限合伙）、共青城芯鑫全投资合伙企业（有限合伙）◁、共青城芯鑫龙投资合伙企业（有限合伙）、共青城芯鑫成投资合伙企业（有限合伙）、共青城芯鑫盛投资合伙企业（有限合伙）▽、共青城芯鑫阳投资合伙企业（有限合伙）、共青城芯鑫旺投资合伙企业（有限合伙）◁☆、沈阳盛腾投资管理中心（有限合伙）▽、沈阳盛旺投资管理中心（有限合伙）★△、沈阳盛全投资管理中心（有限合伙）、沈阳盛龙投资管理中心（有限合伙），构成一致行动关系□。

　　综上，本次募投项目与公司和关联方之间的交易并不存在直接对应或既定必然的关系，本次募投项目的实施可能导致公司关联交易金额增加，但该等交易均源自于公司及下属子公司正常经营活动，符合行业惯例，不会对公司的生产经营独立性产生重大不利影响=▪◇。发行人与承诺方有发生关联交易的均按《公司法》《证券法》《上市公司信息披露管理办法》等法律法规以及《公司章程》《关联交易管理制度》等规章制度的相关要求开展，不存在违反相关承诺的情形。本次募投项目建设阶段及实施后如新增关联交易，公司会依据届时市场环境，在定价公允、交易公平合理的基础上进行◆●，并严格按照有关规定履行审议和决策程序■•，不会对公司生产经营的独立性造成重大不利影响•…。符合《监管规则适用指引——发行类第 6号》-“6-2 关联交易”的相关规定■-。

　　发行人于《募集说明书》-“第六节 与本次发行相关的风险因素▪◇”-▪☆▪“三■●◆、对本次募投项目的实施过程或实施效果可能产生重大不利影响的因素”-“（六）募投项目实施后可能新增关联交易的风险”补充披露如下：

　　▲“公司本次募投项目“高端半导体设备产业化基地建设项目■--”预计在建设阶段不会直接新增关联交易◁◇…，项目投产后，公司高端半导体专用设备产能和业务规模将显著提升○…，有利于更好地满足包括关联方客户在内的市场需求。基于对行业供需态势的判断，未来非关联方及关联方客户均可能增加对公司产品的采购规模●，关联销售总额可能随之相应上升。此外，“前沿技术研发中心建设项目★□-”在建设过程中涉及软硬件设备及耗材采购，公司亦可能根据行业供需情况向关联方进行采购★☆，从而形成关联交易。募投项目实施后公司可能面临新增关联交易的风险☆。”

　　（二）本次募集资金投向前次超募资金建设项目的合理性◁★…，结合整体投资计划、建设内容●▼◇、资金用途是否能明确区分□，说明在前次募集资金尚未基本使用完毕情况下实施本次募投项目的必要性

　　建设-◆○“高端半导体设备产 业化基地建设项目”并变 更部分首发募投资金及超 募资金投入该项目。

　　总投资额110●△,000.00 万元，其中首发募集 资金和超募资金投 入25,000.00万元，自 筹资金投入85,000=▲.0 0万元。

　　2024年3月1日，公司第二届董事会 第三次会议审议并通过了“关于投 资建设▼“高端半导体设备产业化基 地建设项目▪”并变更部分募集资金 用途投入该项目的议案”，2024年 3月2日公司公告《关于投资建设新 项目并变更部分募集资金用途投 入新项目的公告》△◇。 2024年3月18日，公司召开2024年 第二次临时股东大会审议并通过 了上述事项。

　　使用首发超募资金1,826☆=.6 0万元投入该项目，调减相 应金额自筹资金投资。

　　总投资额110▪,000.00 万元，其中首发募集 资金和超募资金投 入26,826▽▽▼.60万元◁•，自 筹资金投入83●☆,173.4 0万元。

　　2024年8月26日，公司第二届董事 会第七次会议审议并通过了“关于 公司使用超募资金用于在建项目 的议案”。2024年8月28日□▲，公司 公告《关于使用超募资金用于在建 项目的公告》○-▷。[注]

　　项目总投资金额变更为17 6☆-★,830○△.11万元，使用本次募 集资金150,000.00万元追 加投资并调减部分自筹资 金投资=▪。

　　总投资额176▷,830.11 万元△●■，其中首发募集 资金和超募资金投 入26,826.60万元，本 次募集资金投入15 0,000.00万元▼，自有 资金投入3☆.51万元。

　　2025年9月12日，公司第二届董事 会第十八次会议审议并通过“关于 公司2025年度向特定对象发行A股 股票方案的议案”-“本次发行募集 资金投向”，2025年9月13日，公 司公告《2025年度向特定对象发行 A股股票预案》，2025年9月29日， 公司召开2025年第三次临时股东 大会审议并通过了上述事项。

　　注◇：根据彼时现行有效的《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第 1号——规范运作（2023年 12月修订）》“5=.3.9…科创公司计划单次使用超募资金金额达到 5000万元且达到超募资金总额的 10%以上的，还应当提交股东大会审议通过。”因此，该次超募资金替换部分自筹资金投入项目不涉及需要股东大会审议的情形。

　　2024年 3月，公司依据彼时下游的市场需求做出合理判断新建“高端半导体设备产业化基地建设项目◁”，设计产能 400台（套）/年。

　　在全球 AI浪潮和数字化转型的推动下，算力与存储芯片的需求激增，汽车电子领域受益于新能源汽车渗透率提升与智能化升级△▲•，车载芯片的需求持续扩容，手机••、PC▽●、可穿戴设备等终端产品的高端化、智能化趋势对先进制程芯片、高容量存储芯片的依赖度亦稳步提升。基于终端需求的明确增长预期，下游芯片制造厂正在加速推进产能扩张，2024年下半年起，下游芯片制造企业新增的扩产计划如下•★□：

　　正推进三期扩产计划，三期达产后总产能将达 30万片/月，目标占据全球 15%的 NAND市场 份额；2025年 9月 5日，长存三期(武汉)集成 电路有限责任公司成立★▪。

　　恒运昌《关于深圳市恒运昌真 空技术股份有限公司首次公 开发行股票并在科创板上市 申请文件的第二轮审核问询 函之回复报告》（以下简称 ★“《恒运昌 IPO二轮问询回 复》”）及国家企业信用信息 系统信息

　　长鑫存储 2025年将在去年大幅增产的基础上 产能进一步同比增长近 50%。到 2025年底，其 月产能有望达到 30万片，届时约占据全球 DRAM总产能的 15%

　　北电集成 12英寸集成电路生产线年四季度设备搬入▽-…，2026年底实现量产=， 2030年满产。

　　高端模拟芯片产线万片/月，分两期实施，产品为高端模 拟芯片，其中一期项目 2025年底前开工，2027 年四季度通线年满产。

　　衢州年产 180万片 12英寸重掺衬底片项目，总 投资 22.62亿元▲=•，2025年底前完成开工准备， 建设周期约 60个月。

　　公司基于下游客户的扩产幅度和节奏判断原有 400台（套）/年产能已无法适应下游需求，应及时对先进制程芯片的高端薄膜沉积设备产能做出充分布局，并对生产基地进行智能化建设▷★，以提高自身产能及研发生产效率▼△，契合下游先进制程芯片产能快速扩张的形势。

　　基于此☆…，公司调整项目投资总额至 176,830.11万元，将生产基地建筑面积由122▲,400平方米增加至 156,005△□.59平方米，将项目设计产能由 400台（套）/年提升至 600台（套）/年，并加大智能化工厂相关投入，以适应下游新态势的要求◁□☆。

　　以本募资金替换自筹资金主要是由于公司日常营运资金需求增加，2025年 9月公司资金情况较 2023年末发生变化◇▪-。具体如下：

　　2023年公司借款平均余额约 11亿元，2023年末资产负债率 53.94%，借款筹措项目建设资金压力相对较小▪，因此•△，公司 2024年 1-2月计划该项目时●▪□，拟自筹 8.50亿元投入项目建设；2025年 9月，公司借款平均金额已较 2023年增长3倍有余，2025年 9月末资产负债率增长近 15个百分点-▼▼，借款筹措资金压力增大，因此公司拟通过本次募资资金替换□…。此外…◁，本次募投项目计划投资总额较大、建设周期较长，银行借款期限通常较短，也不宜作为长期资金投入募投项目建设◇▲•。

　　基于以上公司借款及负债水平的变化◁●，考虑公司日常经营的大量资金需求，公司以本募资金替换自筹资金投入项目建设。

　　?根据产能由 400台（套）/年扩至 600台（套）/ 年； ?生产基地建筑面积由 122,400.00平方米增加至 1 56▼,005-◁.59平方米○，面积增加 33,605.59平方米▷=，增 幅 27.46%▪●▼，主要为建筑规划调整带来每栋建筑的 建筑面积发生变化，其中 1号厂房增加 16,392.31 平方米，地下室增加 5,307.24平方米，园区总体 建筑数量▷◇、建筑层数等未发生变化◇。

　　根据上述建筑面积等的调整相应调整规划设计 费、监理费、洁净厂房工程等。

　　主要为根据智能化工厂等的需求，新增购置□： ?智能化工厂硬件▷：智能超市◆▷、立体库等设备； ?智能化软件系统：数字孪生系统■▪▪、产品工艺数字

　　“高端半导体设备产业化基地建设项目▽”变更前后产能增加 200台（套）/年△●，单位产能投资额未发生重大变化，具体如下•◁：

　　2、结合整体投资计划、建设内容、资金用途是否能明确区分，说明在前次募集资金尚未基本使用完毕情况下实施本次募投项目的必要性

　　“高端半导体设备产业化基地建设项目”的整体投资计划、建设内容和资金区分情况具体如下▪◆◁：

　　首发募集 首发超募 首发和首发 资金 资金 超募小计 （A） （B） （②=A+B）

　　主要为1号厂房裙房主体结构及 部分钢结构工程；2号保障性租 赁住房（员工宿舍）主体结构； 3号和 4号厂房主体结构。

　　主要为 1号厂房△、2号保障性租 赁住房（员工宿舍）、3号厂房△…、 4号厂房其他土建工程、室内装 修等剩余工程▽•★；5-14号建筑工程 及整个室外景观等工程。

　　在投入场地建造及装修等的建设时……△，公司将根据建设进度优先使用前次募集资金，后续将使用本次募集资金继续投入，资金用途

　　和使用可以明确区分，发行人将依据《募集资金管理办法》等的要求-◁，对募集资金进行专款专户管理，按照募集资金项目的设计规划

　　（2）前次募集资金尚未基本使用完毕情况下实施本次募投项目的必要性 截至 2025年 9月 30日，公司前次募集资金使用情况列示如下：

　　公司首次公开发行募集资金投资项目，除◆“高端半导体设备产业化基地建设项目”尚未结项外，其他项目均已完成。“高端半导体设备产业化基地建设项目”拟使用前次募集资金 26,826.60万元，截至 2025年 9月 30日，项目已投入 8▲□■,677.38万元，截至 2025年 12月 23日，已投入 1★▽.63亿元前次募集资金。

　　◁“高端半导体设备产业化基地建设项目”项目的整体建设进度和前次募集资金使用进度如下：

　　取得建设工程规划许可证； 取得施工许可证； 主体工程施工； 变更项目备案。

　　由上表可知=•，该项目前次募集资金在 2025年 6月前使用较慢主要是由于施工前置手续较长所致，因无法开工建设，截至 2025年 6月，共计支出 7,743.74万元△▪，其中 6,768.43为土地购置费用。2025年下半年●▽=，施工手续齐全后，工程进度明显加快，前次募集资金使用速度相应明显加快，截至 2025年 12月 23日，已使用 1▷…■.63亿元☆，预计 2026年上半年可以使用完毕。

　　前述募集资金使用完毕后，预估产业基地内 1号厂房裙房主体结构及部分钢结构工程基本完成，2号保障性租赁住房（员工宿舍）主体结构基本完成★▼▼，3号和 4号厂房主体基本完成，项目需要追加资金完成后续建设工作。

　　该项目建设期为 5年，公司需根据市场增长预期、下游扩产需求，提前筹划产能扩张并实施建设。在下游扩产计划已明确的情况下•★▷，当前为建设新的先进制程产线的恰当时机△…▼，前次募集资金使用完毕无法完成项目建设，待前次募集资金完全使用完毕后筹划实施新的扩产项目□■☆，将使得公司产能无法匹配下游扩产节奏▲，并延误工程进度△▲。

　　（三）结合主要研发内容、技术与人员储备○、研发进展、研发难点攻克情况、原材料及设备采购的可行性等，说明实施前沿技术研发中心建设项目是否存在重大不确定性

　　半导体设备行业的技术迭代遵循“工艺驱动、多维协同…-、持续优化○□”的底层逻辑，其发展路径并非依赖单一颠覆性技术突破，而是通过现有技术体系的精进演化实现性能跃升…•，主要牵引驱动力为★▽“制程微缩、存储堆叠、封装集成◁▼”。薄膜沉积设备作为半导体制造中覆盖最广、工艺依赖性最强的核心装备之一，其技术演进始终围绕工艺需求牵引、多技术协同优化展开，通过材料体系升级…-•、工艺参数精细化控制•、设备功能模块化扩展等渐进式创新■■…，需要公司有完整健全的核心技术体系和工艺迭代研发经验。

　　2010年成立以来，公司即专注于围绕下游“制程微缩、存储堆叠、封装集成”带来的技术迭代需求，持续创新，紧跟下游早期成熟制程至先进制程○△、先进3D NAND○、先进 DRAM架构等工艺演进节奏，持续进行研发和技术积累▪-，多次承担国家科技重大专项/课题★…，在薄膜沉积设备领域形成了以 9大核心技术为基座的技术架构体系，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少☆☆、快速成膜•、设备产能稳定高速等关键难题○•，核心技术达到国际先进水平。

　　在技术不断成熟、系统化、深耕化的过程中…◇，公司亦积累了丰富的技术研发迭代经验，在下游每个关键技术节点突破时▲，提前洞察迭代的关键技术重点☆，立足现有技术积累，布局技术和产品储备，研发形成适配下游技术所需的工艺及产品，推动下游的技术迭代。

　　公司掌握研发项目所必备的全平台核心技术，针对下业迭代趋势提前布局迭代研发的经验丰富▷，攻克研发难点不存在重大不确定性。

　　2、项目研发投入的内容和研发进展、研发难点攻克情况和技术储备 （1）先进 ALD系列产品及工艺研发与优化

　　面向先进逻辑、先进 3D NAND、先 进 DRAM架构芯片制造工艺所需的 ALD介质薄膜和金属薄膜技术及设 备产品开发

　　适用于先进逻辑、先进 3D NAND、 先进 DRAM架构芯片制造工艺的替 代传统刻蚀的 ALD技术延伸及设备 产品开发

　　适用于逻辑、存储等芯片制造领域所 需的批量式 ALD薄膜技术及设备产 品开发

　　通过市场与技术的前期调研明确产品需求和范围，对研发项目进行全面评 估◇•▪，确定总体的技术方案、产品框架及详细技术要求和设计草图；

　　将产品投入到客户端实际生产环境中进行验证，目标是优化产品以满足客 户特定需求，并检验其在大批量生产条件下的性能与稳定性。同时，启动 持续改进计划◁◁▽，解决试产中暴露的问题，最终目标是推动产品达到可批量 生产的状态，验证通过后即可进入量产阶段。

　　截至 2025年 9月 30日□△□，公司研发人员共有 678名，占公司员工总数的 40.72%。

　　研发人员中博士研究生 59人，占研发人员的比例约 8▷▲.70%；硕士研究生 416人-，占研发人员的比例约 61.36%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚=▽□，产线验证经验丰富，专业学科涵盖化学▪=、等离子体物理、流体力学★、射频及微波学◁▷■、电气控制及自动化•、软件工程、机械工程等多种科学技术及工程领域等•●◆，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司本次项目的研发工作…★…。

　　公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源，采取多源采购模式并与核心供应商长期战略合作，构建起互信共赢的供应链生态，建立了常态化◆◆、高效化的研发互动机制◁◆◁，确保部件及设备工具的性能充分匹配公司技术研发要求，为研发项目实施提供稳定供应保障。

　　薄膜沉积设备技术迭代始终围绕材料体系升级、工艺参数精细化控制及设备功能模块化扩展展开，而非依赖单一颠覆性技术突破。2010年成立以来，公司始终专注于围绕集成电路芯片制造技术迭代需求▷☆，持续创新，承担实施了多项国家科技重大专项/课题，逐步构建了以 9大核心技术为基座的技术架构体系，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题◆，核心技术达到国际先进水平•-，并形成了覆盖全面●●、技术水平高的薄膜沉积产品推动下游技术迭代。

　　公司掌握 PE-ALD与 Thermal-ALD两种技 术原理，并围绕 ALD技术进行了系统布 局，形成了多款工艺设备产品，具有研发 和产业化能力。公司结合 ALD工艺特点， 开发了多款高产能平台▷◇，并具有反应腔▽○、 前驱体管理和传输系统◇▲、高精度射频系统 等设计经验△•，以及高低温氧化硅●◆▼、氮化硅▪☆、 氧化铝和碳氧化硅等介质薄膜材料、金属 化合物和金属薄膜材料的工艺开发经验。

　　项目研发内容与现有 核心技术为同源技术， 公司应用相关技术的 产品已在客户端大批 量生产，具有大量的运 行数据•，实验室不断进 行日常性优化实验，为 公司研发项目实施奠 定了基础△-，公司已攻克 部分技术难点，后续研 发为在技术储备和攻 克难点基础上的技术 迭代和优化，公司成立 以来技术迭代经验丰 富==△，攻克研发难点不存 在障碍。

　　公司具有深厚的 PECVD技术积累，已实 现全系列 PECVD薄膜材料的覆盖，掌握 了全面的通用介质材料和先进介质材料薄 膜工艺技术◆，并在逻辑、存储等领域已实 现规模量产。公司结合不同类型的 PECVD 工艺沉积特点，形成了脉冲等离子体技术□、 薄膜均匀性控制技术、先进气体传输系统△、 高产能平台技术等系列关键核心技术，实 现对薄膜沉积性能的精准控制。

　　公司结合芯片沟槽填充需求，已经形成了 覆盖不同深宽比结构沟槽的薄膜材料填充 工艺，掌握了 SACVD、 HDPCVD 及 Flowable CVD等沟槽填充 CVD技术。公 司围绕沟槽填充薄膜的性能需求，已经形 成了高台阶覆盖率薄膜反应腔、前驱体输 送与混气系统、等离子体后处理系统等设 计开发经验◁◆★，并具备拓展不同类型沟槽填 充 CVD的技术经验=。

　　要求，已积累了智能化工艺模型的初步经 验，并深入理解高精度实时控制软硬件体 系…☆，同时，在温控算法、射频技术、多物 理场仿真、超洁净材料等方面积累了丰富 的研发与优化设计经验☆…。

　　控制系统、软件架构与 硬件架构的协同整合◁▷■， 形成具备通用适配能 力的控制解决方案△▽，并 研发具有通用性的关 键模块系统-，为基于现 有系统、架构和成熟模 块基础上的研发迭代、 整合▽…，攻克研发难点不 存在障碍。

　　因此，本项目主要面向先进制程迭代与三维集成架构对高端半导体设备提出的技术需求，拟重点围绕 PECVD◆、ALD、沟槽填充 CVD等工艺设备领域深耕，开展多项先进薄膜沉积工艺和设备的研发，并逐步突破其中的前沿核心技术，形成一系列具有自主知识产权…▼、满足前沿技术应用需求的产品■○，公司以高素质研发技术人才为支撑，以核心技术积累和丰富研发经验为保障…●，对各项目的研发重点难点均有丰富的技术储备★△，研发重点攻克不存在重大不确定性。

　　在研发原材料及工具供应方面•△▽，公司建立了多源采购模式-★，与核心供应商长期战略合作，形成协同创新机制-▼，为项目研发提供稳定供应保障▼。

　　综上，公司技术、研发经验、人才…、研发材料及工具供应均对实施前沿技术研发中心建设项目提供有力支撑，项目实施不存在重大不确定性。

　　（四）结合本募产品的市场需求◇▽-、竞争格局及公司竞争优劣势、现有及新增产能、产能利用率及产销率、在手订单及客户开发情况等，说明本次募投项目追加投资新增产能的合理性以及产能消化措施

　　公司作为行业内领先企业●，在研发能力、技术水平、产品覆盖、客户资源等方面形成竞争优势▷▷▽，使得公司可直接受益于下游需求扩张带来的市场增量△▽，“高端半导体设备产业化基地建设项目=★”达产后，将新增薄膜沉积设备的产能 600台（套）/年，弥补自身产能不足的劣势□，公司与客户合作关系稳固，在手订单充足且在部分下游客户新增扩产中占比较高，在手订单预计转化效率较高，保障了新增产能的消化，具体如下：

　　公司将通过本次募投项目扩大用于高端半导体设备的产能规模，满足下游客户在制程迭代过程中产能扩张和工艺升级对高端设备的迫切需求。

　　在芯片需求持续旺盛的大背景下，下游芯片制造企业针对高端存储、车规级芯片等多品类产线的扩产规划清晰、预期明确。经公开信息检索，国内主要芯片制造企业近期普遍存在扩产计划◇★▼，具体情况如下□▽☆：

　　长江存储作为国内 NAND领军企业，正推进三 期扩产计划▽=，三期达产后总产能将达 30万片/ 月，目标占据全球 15%的 NAND市场份额○。

　　2025年大幅增产的基础上产能进一步同比增 长近 50%。到 2025年底，其月产能有望达到 3 0万片，届时约占据全球DRAM总产能的15%。

　　华虹公司制造新的 12英寸产线亿 美元的投资计划◁。该等投资从 2023年年中开 始▽，贯穿 2024-2026年，平均来看■=▼，约 20亿美 元/年○。

　　三维多芯片集成封装项目总投资 84亿元★==，产 能为凸块工艺加工 8万片/月，三维多芯片集成 封装 1◆○.6万片/月•▪，预计于 2025年投产、2027 年达产。

　　规划建设 12英寸集成电路芯片生产线，计划 建成后产能达 5万片/月，2026年底实现量产•， 2030年满产，2031实现产线产品组合的最终 设计产能。

　　建设一条 12英寸集成电路芯片制造生产线， 产品定位为高端模拟集成电路芯片。项目规划 总投资 200亿元•★◆，规划产能 4…◆◆.5万片/月。

　　衢州年产 180万片 12英寸重掺衬底片项目☆▷★， 总投资 22●◁○.62亿元●▷，2025年底前完成开工准备， 建设周期约 60个月。

　　根据2025年12月SEMI预测，全球半导体设备销售额预计2025年增长11.0%至 1330亿美元，2026年、2027年预计再增长 9.0%和 7.3%，至 1450亿美元和1560亿美元◇•◁。根据前述数据，假设 2028年-2030年保持 2027年较 2026年的 7.3%增速◆□□，结合 SEMI数据整理的 2024年中国大陆半导体制造设备销售额占全球半导体制造设备销售额的比例 42.30%、薄膜沉积设备市场规模约占半导体制造设备市场的 22%测算☆，国内薄膜沉积设备的未来五年的需求量如下…■： （未完）